Tailoring bandgap and trap distribution via Si or Ge substitution for Sn to improve mechanoluminescence in Sr3Sn2O7:Sm3þ layered perovskite oxide

针对Sr₃Sn₂O₇:Sm³⁺应力发光材料的缺点，从优化材料光学带隙、缺陷能级、缺陷分布及激活能等光学性质出发，采用Si、Ge替代Sn，测试并分析材料的光致发光、紫外-可见漫反射及吸收光谱、热致发光光谱及应力发光曲线，研究Si、Ge替代Sn对材料应力发光性能的影响，总结出上述因素之间的制约关系，初步掌握了Sr₃Sn₂O₇:Sm³⁺应力发光性能的一般规律和物理机制。随着Si、Ge的引入，应力发光性能得到很大程度地改善，样品应力发光的强度也大幅度地提升。IF=6.037.

https://doi.org/10.1016/j.actamat.2017.12.003